微观装置的制造及其处理技术-ag尊龙凯时

.本发明涉及硅微传感器，具体是一种抗高过载硅敏感单元、微加速度计及其制备方法。.加速度计是一种用于加速度感应的传感器，当传感器受到加速度作用时，内部敏感单元感受加速度而变形，通过特殊的检测手段可以将正比于加速度的变形检测出来，从而实现加速度检测。微加速度计采用微机械加工工艺制备，具...

.本发明属于硅纳米线结构材料制备，具体涉及一种交变电场结合超声制备硅纳米结构的设备。.硅材料价格低廉，且具有优良的性能，其加工工艺也已日趋完善，成为目前应用最广泛的半导体材料之一；在计算机、互联网和电子产业等领域得到了广泛的应用，当今世界，集成电路技术和电子元器件技术的蓬勃发展与硅...

.本发明实施例涉及但不限于电子装配，具体而言，涉及但不限于微器件转移设备、微器件转移方法、计算机可读存储介质。.现今，微电子机械系统向着高效率、高精度、高性能和低成本的高度集成方向迈进，组装过程中对微薄元器件的使用率也越来越高，各类元器件愈来愈小型化和轻薄化。为了实现产品批量化、生...

.本发明涉及一种自支撑多孔硅薄膜的制备方法，具体地涉及在单晶硅基底上通过电化学脉冲腐蚀一层厚度几微米的纳米多孔硅薄膜后，利用大电流脉冲及滴蜡的方法将多孔硅薄膜完整的从基底剥离，获得自支撑的多孔硅薄膜。.多孔硅(poroussilicon)是一种纳米多孔状硅材料，二十世纪年代在美国贝尔实验...

氮化物压电体和使用该氮化物压电体的mems器件.本发明涉及添加了镁和钽的氮化铝的压电体以及使用了该压电体的mems器件。.利用压电现象的器件在广泛的领域中使用，在强烈要求小型化和省电化的便携电话机等便携式设备中，其使用正在扩大。作为其一例，有使用薄膜体声波谐振器(filmbulk...

mems薄膜真空计及其制备方法.本发明涉及mems领域，具体地，涉及一种mems（micro-electro-mechanicalsystem，微机电系统）薄膜真空计及其制备方法。.mems薄膜真空计是利用弹性薄膜在压力差作用下产生弹性变形的原理而制成的一种直接测量真空计，可以在...

.本发明属于硅纳米结构制备，具体涉及一种磁场与机械振动结合的硅纳米结构制备方法。.硅纳米结构在传感器、电子电路以及新能源等领域具有广泛的应用；目前国内外关于硅微纳结构材料的制备方法进行了相关研究，主要有干法刻蚀和湿法刻蚀；其中，干法刻蚀包括反应离子刻蚀法和光刻法等；湿法刻蚀包括氧化...

mems腔体结构的形成方法.本发明涉及半导体，且更具体而言，涉及一种mems腔体机构的形成方法。.微电子机械系统(micro-electro-mechanicalsystems，mems)是利用薄膜沉积、光刻和蚀刻技术在半导体基底和cmos基底上形成的。mems器件具有较...

.本发明属于微纳米材料，涉及一种纳米硅材料的制备方法。.硅微纳米结构由于其独特的性质在光电转换存储器件、热电器件、锂离子电池、生物检测技术等方面有很大的应用前景。大规模低成本的制备硅纳米结构对于硅纳米结构功能器件的商业化至关重要。.近年来围绕硅纳米结构的制备，发展了很多技术手段，但...

mems集成封装结构及其制备方法.本发明涉及芯片封装领域，尤其涉及mems集成封装结构及其制备方法。.自集成电路器件的封装从单个组件的开发，进入到多个组件的集成后，随着产品效能的提升以及对轻薄和低耗需求的带动下，迈向封装整合的新阶段。在此发展方向的引导下，形成了电子产业上相关的两大...

小时后降温至-℃，保温-h后再冷却到-℃，最后淬灭到环境温度，经洗涤、干燥后得到超硬纯同位素bp半导体微纳米线。.随着电子和光电子器件在极端环境下的应用，高熔点、高热稳定性、高导热率和高硬度半导体材料的研究得到了重视，其中，最典型的当属立方磷化硼(bp)半导体材料。然而，受制于bp较为苛刻的合成条...

具有通过绕两个旋转轴的压电致动倾斜的结构的微机电设备.优先权声明.本申请要求于年月日提交的意大利专利申请第号的优先权，其内容在法律允许的最大范围内通过引用全部并入本文。.本公开涉及一种具有可通过围绕两个旋转轴的压电致动而倾斜的结构的微机电设备(采用mems-微机电系统-技术制造)。...

.本发明涉及压力传感器及其封装方法的，特别是涉及一种具有微细多引线的压力传感器的封装方法。.硅微压力芯片制作采用的是微机电系统（mems）工艺实现，它是一个多学科交叉的高科技领域。其研究成果在国民经济中有广泛的应用前景。目前mems产品中研制最多的、应用最广的就是硅微压力传感器，其...

具有改善电特性的薄膜压电微机电结构及相应的制造工艺.优先权要求.本申请要求于年月日提交的意大利专利申请no.的优先权权益，该专利申请的内容以法律允许的最大程度通过引用整体并入于此。.本发明涉及一种具有改善电特性(微电机系统(mems)类型)的薄膜压电微机电结构，并且涉及一种对应的制造工艺。...

.本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体器件的制造方法和电子装置。.微机电系统(micro-electro-mechanicalsystems，mems)是将微电子技术与机械工程融合到一起的一种工业技术，它的操作范围在微米范围内。mems是一种全新的且必须同时考虑多种物理场混...

.本发明涉及电子产品的模组组装，特别涉及一种半导体器件制造方法及电子装置。.现有的一些特殊应用的半导体器件的制作过程中，经常会在第一部件上制作牺牲材料，并在牺牲材料上制作出第二部件，然后会在第二部件上制作大量的释放孔，以通过释放孔来去除该牺牲材料，之后会在第二部件上形成封孔膜层来封...

.本发明涉及电子产品的模组组装，特别涉及一种元件组装方法及电子装置。.随着微机电系统(microelectromechanicalsystem，mems)技术的发展，以及，电子产品、智能设备等越来越多地朝向小型化和高性能的方向发展，在mems执行器的可动部件上组装其他元件，进而实...

.本发明属于硅片微纳米结构加工，具体涉及一种磁场与振动结合的硅片微纳米结构制备装置。.硅片表面的微纳米结构在传感器、电子电路以及新能源等领域具有广泛的应用。目前制备硅微纳结构的方法主要包括干法刻蚀和湿法刻蚀；相对于干法刻蚀而言，湿法刻蚀工艺简单、成本低，更有利于产业化发展。而贵金属...

.本发明涉及压力传感器及其制备方法的，特别是涉及一种具有微细多引线的压力传感器及其制备方法。.硅微压力芯片制作采用的是微机电系统（mems）工艺实现，它是一个多学科交叉的高科技领域。其研究成果在国民经济中有广泛的应用前景。目前mems产品中研制最多的、应用最广的就是硅微压力传感器，...

一种基于大马士革工艺的mems开关牺牲层的制备方法.本发明属于半导体器件制备，具体涉及一种基于大马士革工艺的mems开关牺牲层的制备方法。.mems开关具有体积小、集成度高、性能良好的特点，可以与移项器、滤波器、衰减器等进行集成，构成具有智能化、多功能、可重构的mems器件...