1.本实用新型涉及集成电路技术领域，特别涉及一种高初始精度低温漂低功耗参考电压电路。
背景技术：
2.模拟电路广泛的包括电压基准和电流基准，这种基准是直流量，它与电源和工艺参数的关系很小，但是与温度的关系是确定的，普通的cmos工艺阻容器件的工艺偏差一般在20％左右，而参考电压是随着电阻值的变化而变化，因此一般都需要对参考电压进行微调。
技术实现要素：
3.本实用新型提供了一种高初始精度低温漂低功耗参考电压电路，其目的是为了解决传统的参考电压电路初始精度较低，需要额外的电路开销来进行微调，版图面积大，电路复杂的问题。
4.为了达到上述目的，本实用新型的实施例提供了一种高初始精度低温漂低功耗参考电压电路，包括：
5.第一输入源，所述第一输入源的第一端与电源端电连接；
6.第一开关，所述第一开关的第一端与所述第一输入源的第二端电连接；
7.第一pnp型三极管，所述第一pnp型三极管的发射极与所述第一开关的第二端电连接，所述第一pnp型三极管的基极端与所述第一pnp型三极管的集电极端电连接，所述第一pnp型三极管的集电极端与接地端电连接；
8.第二开关，所述第二开关的第一端与所述第一输入源的第二端电连接；
9.第二pnp型三极管，所述第二pnp型三极管的发射极与所述第二开关的第二端电连接，所述第二pnp型三极管的基极端与所述第二pnp型三极管的集电极端电连接，所述第二pnp型三极管的集电极端与接地端电连接。
10.其中，还包括：
11.第一电容，所述第一电容的第一端与所述第二开关的第一端电连接。
12.其中，还包括：
13.第二电容，所述第二电容的第一端与所述第一电容的第二端电连接。
14.其中，还包括：
15.第三开关，所述第三开关的第一端与所述第二电容的第二端电连接。
16.其中，还包括：
17.第二输入源，所述第二输入源的第一端与电源端电连接，所述第二输入源的第二端与所述第三开关的第二端电连接。
18.其中，还包括：
19.第三pnp型三极管，所述第三pnp型三极管的发射极与所述第二输入源的第二端电
连接，所述第三pnp型三极管的基极端与所述第三pnp型三极管的集电极端电连接，所述第三pnp型三极管的集电极端与接地端电连接。
20.其中，还包括：
21.比较器，所述比较器的第一输入端与所述第二电容的第一端电连接，所述比较器的第二输入端与所述第三开关的第二端电连接。
22.其中，还包括：
23.第四开关，所述第四开关的第一端与所述第二电容的第二端电连接，所述第四开关的第二端与所述比较器的输出端电连接。
24.其中，还包括：
25.第五开关，所述第五开关的第一端与所述比较器的第一输入端电连接，所述第五开关的第二端与所述比较器的输出端电连接。
26.其中，还包括：
27.第三电容，所述第三电容的第一端分别与所述比较器的输出端和vref端口电连接，所述第三电容的第二端与接地端电连接。
28.本实用新型的上述方案有如下的有益效果：
29.本实用新型的上述实施例所述的高初始精度低温漂低功耗参考电压电路，具备较高的初始精度，因此不需要额外的电路开销来进行微调，节省了版图面积，减小了电路的复杂度。
附图说明
30.图1是本实用新型的具体结构示意图。
31.【附图标记说明】
32.1-第一输入源；2-第一开关；3-第一pnp型三极管；4-第二开关；5-第二pnp型三极管；6-第一电容；7-第二电容；8-第三开关；9-第二输入源；10-第三pnp型三极管；11-比较器；12-第四开关；13-第五开关；14-第三电容。
具体实施方式
33.为使本实用新型要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
34.本实用新型针对现有的参考电压电路初始精度较低，需要额外的电路开销来进行微调，版图面积大，电路复杂的问题，提供了一种高初始精度低温漂低功耗参考电压电路。
35.如图1所示，本实用新型的实施例提供了一种高初始精度低温漂低功耗参考电压电路，包括：第一输入源，所述第一输入源的第一端与电源端电连接；第一开关，所述第一开关的第一端与所述第一输入源的第二端电连接；第一pnp型三极管，所述第一pnp型三极管的发射极与所述第一开关的第二端电连接，所述第一pnp型三极管的基极端与所述第一pnp型三极管的集电极端电连接，所述第一pnp型三极管的集电极端与接地端电连接；第二开关，所述第二开关的第一端与所述第一输入源的第二端电连接；第二pnp型三极管，所述第二pnp型三极管的发射极与所述第二开关的第二端电连接，所述第二pnp型三极管的基极端与所述第二pnp型三极管的集电极端电连接，所述第二pnp型三极管的集电极端与接地端电
连接。
36.其中，还包括：第一电容，所述第一电容的第一端与所述第二开关的第一端电连接。
37.其中，还包括：第二电容，所述第二电容的第一端与所述第一电容的第二端电连接。
38.其中，还包括：第三开关，所述第三开关的第一端与所述第二电容的第二端电连接。
39.其中，还包括：第二输入源，所述第二输入源的第一端与电源端电连接，所述第二输入源的第二端与所述第三开关的第二端电连接。
40.其中，还包括：第三pnp型三极管，所述第三pnp型三极管的发射极与所述第二输入源的第二端电连接，所述第三pnp型三极管的基极端与所述第三pnp型三极管的集电极端电连接，所述第三pnp型三极管的集电极端与接地端电连接。
41.其中，还包括：比较器，所述比较器的第一输入端与所述第二电容的第一端电连接，所述比较器的第二输入端与所述第三开关的第二端电连接。
42.其中，还包括：第四开关，所述第四开关的第一端与所述第二电容的第二端电连接，所述第四开关的第二端与所述比较器的输出端电连接。
43.其中，还包括：第五开关，所述第五开关的第一端与所述比较器的第一输入端电连接，所述第五开关的第二端与所述比较器的输出端电连接。
44.其中，还包括：第三电容，所述第三电容的第一端分别与所述比较器的输出端和vref端口电连接，所述第三电容的第二端与接地端电连接。
45.本实用新型的上述实施例所述的高初始精度低温漂低功耗参考电压电路，通过所述第一pnp型三极管与所述第二pnp型三极管产生的vbe1与vbe2经过开关电容运放实现减法来实现ptat的电压，然后将ptat电压与vbe3相加得到一个与温度无关的参考电压vref，φ1、φ2为两相非交叠时钟。
46.本实用新型的上述实施例所述的高初始精度低温漂低功耗参考电压电路，具备对电源及工艺器件的绝对精度不敏感，通过调节所述第一电容与所述第二电容的比值可以调节温度系数的曲线，因此输出电压的初始精度只有所述第二pnp型三极管、所述第一pnp型三极管的比值n1以及所述第一电容与所述第二电容的比值n2有关，其输出参考电压vref＝(vbe1-vbe2)*n2 vbe3，由于器件的比值只由工艺的匹配性有关，因此得到一个较好的高初始精度的参考电压。
47.本实用新型的上述实施例所述的高初始精度低温漂低功耗参考电压电路，具备较高的初始精度，不需要额外的电路开销来进行微调，节省了版图面积和功耗，减小了电路的复杂度，采用开关电容运放实现对电压的加减运算，几乎不受工艺跟温度影响。
48.以上所述是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。