信息存储应用技术-ag尊龙凯时

用于控制通过存储器单元的电流的技术.在某些电路(例如相变存储器单元)中，可能需要对通过部件的电流脉冲的幅度和持续时间进行细粒度(fine-grained)控制。例如，通过存储器单元的高电流密度的短脉冲可能改变存储器单元的相位，从而改变或复位存储器单元所存储的值。.在一些情况下，可以选择若干...

.本公开涉及一种电路、系统及方法，更具体来说涉及一种控制电路、存储器系统及控制方法。.在存储器应用中，各比特的传感区间(sensingmargin)是以相等大小来配置。然而，上述传统的方法并对于类神经网络以及存储器内运算而言，并不一定是最佳的解决方式。发明内容.本公开实施例提供一种控制电...

.本发明涉及一种非易失性存储器(non-volatilememory)的存储器胞阵列(memorycellarray)，且特别涉及一种多次编程(multi-timeprogrammable，简称mtp)非易失性存储器的存储器胞阵列以及存储器胞阵列中的存储器胞(memorycell)...

dram数据保持时间、刷新间隔确定方法、刷新方法及装置.本发明涉及半导体，具体而言，涉及一种dram数据保持时间、刷新间隔的确定方法、dram的刷新方法及装置。.动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory，dram)的原理是利用电容内存储的...

.本申请涉及存储装置测试，特别是涉及转接装置、测试系统以及存储装置的测试方法。.在存储装置的生产过程中，需要对存储装置进行测试，以区分出存储装置中的良品和不良品。.目前的存储装置生产当中，为了找到存储装置中的不良品，往往会使用测试装置对存储装置进行测试，以找出其中的不良品。.不足之...

.本公开内容涉及一种存储器设备，尤其是一种电子数据存储器。此外，本公开文献还涉及一种用于改变存储器设备的多个可按位改变的存储器单元的方法，并且尤其涉及pram(resistiverandomaccessmemory，基于电阻的数据存储器)防克隆保护。.电子数据存储器能够将信息存储在存...

.本发明涉及一种制作半导体元件，尤其是涉及一种高密度磁阻式随机存取存储器(magnetoresistiverandomaccessmemory，mram)阵列。.已知，磁阻(magnetoresistance，mr)效应是材料的电阻随着外加磁场的变化而改变的效应，其物理量的定义，是在...

存储器设备及其操作方法.相关申请的交叉引用.本申请要求于年月日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请no.--的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文中。.本发明构思涉及一种存储器设备及其操作方法。.通常，动态随机存取存储器(dram)可以执行刷新操作以保留存储的数据。即，dram可以...

高效的io区段中断系统和方法.本文中所描述的实施例大体上涉及存储器装置的领域。更确切地说，当前实施例包含一或多个系统、装置和方法，其包含存储器装置的字线的列选择(cs)区段之间的输入/输出(io)中断的高效使用。.此章节意图向读者介绍可能涉及本公开的各种方面的技术的各种方面，这些方...

.本发明涉及音频转接器(亦称为音频适配器(dongle))，尤其涉及音频转接器的控制电路及控制方法。.现有的通用序列总线(universalserialbus，以下简称usb)至音频插口(audiojack，包含但不限于.mm)的音频转接器常包含麦克风及实体按键；麦克风用来录音，而实...

.本公开的实施例大体上涉及用于存储器装置的决策反馈均衡器(dfe)的领域。更具体来说，本公开的实施例涉及使用dfe复位发生器调制复位dfe的相位的速度。.半导体装置(例如，存储器装置)利用具有数据信号、数据选通及/或其它信号的相移的时序来执行操作(例如，写入操作、读取操作、刷新操作)。df...

.本公开总体上涉及一种电子装置，更具体地涉及一种存储装置及其操作方法。.储存装置是在诸如计算机或智能手机之类的主机装置的控制下存储数据的装置。储存装置可以包括用于存储数据的存储装置和用于控制存储装置的存储控制器。存储装置分为易失性存储装置和非易失性存储装置。.易失性存储装置是仅在供电时才存...

.本公开总体上涉及一种电子装置，更具体地，涉及一种存储器装置及其操作方法。.存储装置是在诸如计算机或智能电话的主机装置的控制下存储数据的装置。存储装置可以包括用于存储数据的存储器装置和用于控制存储器装置的存储器控制器。存储器装置分为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。.易失性存储器装置是...

半导体存储器装置及半导体存储器装置的列路径控制电路.相关申请的交叉引用.本申请要求于年月日提交的、申请号为--的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用整体并入本文。.本公开的各个实施例总体上涉及一种半导体集成装置，并且更特别地，涉及一种半导体存储器装置及其列路径控制电路。.半导体...

.本发明关于半导体存储装置。.半导体存储装置中的dram(dynamicrandomaccessmemory，动态随机存取存储器)，是一种挥发性存储器，借由将电荷蓄积在电容器来存储信息，一旦没有供给电源，存储的信息将会遗失。由于蓄积在电容器的电荷经过一定时间之后就会放电，因此dram...

.本公开涉及一种存储器装置，更具体地，涉及一种能够对失败位(failbit)进行计数的存储器装置。.存储器系统可以包括存储数据的存储器装置以及能够控制该存储器装置的控制器。存储器装置分为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。由于易失性存储器装置具有不同的特性，因此根据各种功能在电子装置中...

.本发明涉及半导体存储领域，特别涉及一种半导体存储装置。.dram(dynamicrandomaccessmemory)是通过在构成存储单元的电容器中积蓄电荷以存储信息，当不供给电源时会失去存储的信息的易失性存储器。因为经过一定时间后，积蓄于电容器的电荷会放电，dram必须定期进行所...

半导体存储器设备和操作该半导体存储器设备的方法.相关申请的交叉引用.本申请要求于年月日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请号--的优先权，该申请的整体公开内容通过引用并入本文。.本公开涉及电子设备，并且更具体地，涉及半导体存储器设备和操作该半导体存储器设备的方法。.半导体存储器设备可...

.本公开的实施例大体上涉及电子电路线，且更明确来说，涉及提取电子电路线的电阻器-电容器时间常数。.信号跨电线或其它电路的传播可受电阻-电容效应支配。电阻-电容延迟或rc延迟可阻碍电子装置的速度，所述电子装置例如微电子集成电路。rc延迟可能会变成性能改进的显著障碍，尤其是考虑到电子装置的持续...

.本公开的实施例大体上涉及阻容传感器电路，且更具体来说，涉及用于提取电子电路线的阻容时间常数的阻容传感器电路。.跨导线或其它电路的信号传播可由阻容效应主导。阻容延迟或rc延迟会阻碍电子装置(例如微电子集成电路)的速度。rc延迟会成为性能改进的显著障碍，尤其鉴于电子装置的不断特征缩放及特征密...